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ASDM65S180NTE

更新时间： 2024-11-02 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		/
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DFN8*8

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ASDM65S180NTE 数据手册

ASDM65S180NTE

650V N-Channel Super-Junction MOSFET

General Features

Product Summary

● Very low FOM RDS(on)×Qg

● 100% avalanche tested

V DS

650

140

mΩ

● Easy to use/drive

R DS(on),TYP@ VGS=10 V

I D

● RoHS compliant

● Excellent package for good heat dissipation

Application

●Switch Mode Power Supply (SMPS)

●Uninterruptible Power Supply (UPS)

●Power Factor Correction (PFC)

●Charger

Drain

Gate

Driver

Source

Power

Source

DFN 8*8

Key Performance Parameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

700

0.18

32.9

Unit

I_D

I_D,pulse

E_OSS@ 400V

Body Diode di_F/dt

4.14

500

μJ

A/μs

NOV 2018 Version1.0

1/8

Ascend Semicondutor Co.,Ltd

12 3 4 5 6 7 8

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