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ASDM640NP

更新时间： 2024-11-21 17:15:27

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安森德 - ASDsemi		/
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TO-220

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ASDM640NP 数据手册

ASDM640NP

200V N-Channel MOSFET

Feature

●

Fast switching

100% avalanche tested

Product Summary

capability

Improved dv/dt

200

Ω

DS(on),Typ@ VGS=10 V

0.12

Application

●

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Uninterruptible Power Supply (UPS)

Factor Correction (PFC)

Power

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Value

TO-220

200

Parameter

Symbol

Unit

Drain-Source Voltage (V_GS= 0V)

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

V_DSS

I_D

(note1)

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GSS

E_AS

I_AS

±20

262.7

7.3

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

(note2)

(note1)

Repetitive Avalanche Energy

Power Dissipation (T_C= 25ºC)

E_AR

P_D

157.62

ºC

104

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55~+150

Thermal Resistance

Value

TO-220

1.2

Parameter

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

K/W

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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