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ASDM60P50KQ

更新时间： 2024-11-19 17:15:43

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安森德 - ASDsemi		/
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7页	1820K
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TO-252

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ASDM60P50KQ 数据手册

ASDM60P50KQ

-60V P-Channel MOSFET

Product Summary

General Features

● Super Low Gate Charge

● 100% EAS Guaranteed

VDS

-60

RDS(on),max.@ VGS=10 V

mΩ

● Green Device Available

● Excellent CdV/dt effect decline

● Advanced high cell density Trenchtechnology

● Halongen Free

-50

$SSOLFDWLRQV

DU\ꢁEULGJHꢁ

'&ꢀ'&ꢁSULP

●

'&ꢀ'&ꢁ6\QFKURQRXVꢁUHFWLILFDWLR

TO-252

P-channel

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-60

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

±20

-50

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V¹

Pulsed Drain Current²

-28

-24.3

-23.5

-80

EAS

Single Pulse Avalanche Energy³

115

I_AS

Avalanche Current

-45

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation⁴

℃

Storage Temperature Range

-55 to 150

T_J

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

R_θJA

Parameter

Typ.

Max.

Unit

Thermal Resistance Junction-Ambient ¹

Thermal Resistance Junction-Case¹

---

℃/W

R_θJC

3.6

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2018 Version1.0

1/7

12 3 4 5 6 7

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