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ASDM60R042NQ

更新时间： 2024-11-02 17:15:27

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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8页	1451K
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ASDM60R042NQ 数据手册

ASDM60R042NQ

60V N-Channel MOSFET

General Features

Product Summary

● Advanced Trench MOS Technology

● Low On-Resistance

VDS

mΩ

● 100% avalanche tested

RDS(on).Typ@ VGS=10 V

4.4

● Fast Switching Speed

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● DC/DC Converters

● On board power for server

● Synchronous rectification

DFN5×6-8

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Parameter

Rating

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

I_D@T_C=25℃

Continuous Drain Current^1,6

I_D@T_C=100℃

I_DM

Pulsed Drain Current²

Single Pulse Avalanche Energy³

Avalanche Current

360

EAS

125

I_S

Total Power Dissipation⁴

113

P_D@T_C=25℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Typ.

---

Max.

Unit

Thermal Resistance Junction-ambient ¹(t≦10S)

Thermal Resistance Junction-ambient ¹(Steady State)

Thermal Resistance Junction-case ¹

℃/W

R_θJA

R_θJC

---

1.1

www.ascendsemi.com

0755-86970486

DEC 2018 Version1.0

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