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ASDM60R070NQ

更新时间： 2024-11-19 17:15:47

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1176K
描述
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ASDM60R070NQ 数据手册

ASDM60R070NQ

60V N-Channel MOSFET

Features

•

Super Low Gate Charge

Product Summary

100% EAS Guaranteed

V DS

6.5

mΩ

Green Device Available

Excellent CdV/dt effect decline

Advanced high cell density Trench

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

technology

DFN5*6-8

N-Channel

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Parameter

Rating

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V¹

Pulsed Drain Current²

V_GS

±20

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

300

EAS

Single Pulse Avalanche Energy³

I_AS

P_D@T_C=25℃

T_STG

Avalanche Current

Total Power Dissipation⁴

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

R_θJA

Parameter

Typ.

---

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance Junction-ambient ¹

Thermal Resistance Junction-case ¹

R_θJC

---

1.4

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/7

12 3 4 5 6 7

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