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ASDM60R007NHT

更新时间： 2024-06-26 08:51:39

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安森德 - ASDsemi		/
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TOLL

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ASDM60R007NHT 数据手册

ASDM60R007NHT

60V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

●

Surface-mounted package

●

Advanced trench cell design

VDS

0.64

400

mΩ

RDS(on),Typ

I D

VGS=10 V

Application

●

LCD TV appliances

High power inverter system

LCDM appliances

TOLL

1. Limiting Values

Symbol

Parameter

Conditions

Min Max Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

± 20

400

362

1600

375

175

400

T_C= 25 ℃

V_GS

Gate-Source Voltage

Drain Current ( DC )

T_C= 25 ℃, V_GS= 10 V

T_C= 100 ℃, V_GS= 10 V

T_C= 25 ℃, V_GS= 10 V

T_C= 25 ℃

I_D*

I_DM*^,**

P_tot*

T_stg

T_J

Drain Current ( Pulsed )

Drain power dissipation

Storage Temperature

℃

- 55

Junction Temperature

I_S

Continuous-Source Current

Single Pulsed Avalanche Energy

T_C= 25 ℃

EAS

DD= 50 V , L= 1 mH

2738 mJ

R_θJA

Thermal Resistance- Junction to Ambient

Thermal Resistance- Junction to Case

℃/W

R_θJC

0.4

Notes：

Surface Mounted on 1 in²pad area, t  10 sec

s, duty cycle  2 %

** Pulse width  300

*** Limited by bonding wire



www.ascendsemi.com

0755-86970486

Sep 2022 Version1.0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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