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ASDM60R030NHP

更新时间： 2024-11-02 17:15:23

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安森德 - ASDsemi		/
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ASDM60R030NHP 数据手册

ASDM60R030NHP

60V N-Channel MOSFET

Features

Low R (on)

•

Product Summary

Low Gate Charge

100% EAS Guaranteed

V DS

mΩ

RoHS and Halogen-Free Compliant

R DS(on),typ@ VGS=10 V

I D

2.3

180

Application

•

Motor control and drives

Battery management

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drain-Source voltage

Gate-Source voltage

V_GS

±20

T_C=25°C

180

I_D

Continuous Drain Current

T_C=100°C

116.4

720

Pulsed Drain Current¹

I_DM

Single Pulse Avalanche Energy²

352.8

EAS

P_D

Total Power Dissipation

T_C=25°C

208.3

T_J, T_STG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

Thermal Resistance from Junction-to-Ambient³

°C/W

R_θJC

Thermal Resistance from Junction-to-Case

0.6

°C/W

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

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