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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTTD1P02R2
NTTD1P02R2 PDF预览

NTTD1P02R2

更新时间： 2024-02-20 17:01:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Power MOSFET -1.45 Amps, -20 Volts

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NTTD1P02R2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 846A-02, MICRO-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.89其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.45 A最大漏极电流 (ID)：1.45 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTD1P02R2 数据手册

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NTTD1P02R2  
Power MOSFET  
−1.45 Amps, −20 Volts  
P−Channel Enhancement Mode  
Dual Micro8 Package  
Features  
• Ultra Low R  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
• Miniature Dual Micro8 Surface Mount Package  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Micro8 Mounting Information Provided  
http://onsemi.com  
DS(on)  
−1.45 AMPERES  
−20 VOLTS  
160 mW @ VGS = −4.5  
Applications  
• Power Management in Portable and Battery−Powered Products, i.e.:  
Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless  
Telephones  
Dual P−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
G
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
−20  
V
V
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
"8.0  
S
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 1.)  
R
P
250  
0.50  
°C/W  
W
θ
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
D
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
I
I
−1.45  
−1.15  
−10  
A
A
A
A
D
8
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
A
D
Pulsed Drain Current (Note 3.)  
I
DM  
1
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 2.)  
R
P
I
125  
1.0  
−2.04  
−1.64  
−16  
°C/W  
W
A
A
A
Micro8  
CASE 846A  
STYLE 2  
θ
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
D
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
A
D
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
I
A
D
Pulsed Drain Current (Note 3.)  
I
DM  
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
J
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
35  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
1
2
3
4
Drain 1  
Drain 1  
Drain 2  
Drain 2  
8
7
6
5
Source 1  
Gate 1  
Source 2  
J
(V = −20 Vdc, V = −4.5 Vdc,  
DD  
GS  
YWW  
BC  
Peak I = −3.5 Apk, L = 5.6 mH,  
L
Gate 2  
R
= 25 Ω)  
G
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
(Top View)  
= Year  
1. Minimum FR−4 or G−10 PCB, Steady State.  
Y
2. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board (1″ sq. 2 oz Cu 0.06″ thick single  
sided), Steady State.  
WW = Work Week  
BC = Device Code  
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTTD1P02R2  
Package  
Shipping  
Micro8  
4000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
December, 2003 − Rev. 1  
NTTD1P02R2/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTTD1P02R2/D ETC

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