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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEAD FREE, CASE 846A-02, MICRO-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 175 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTTFD018N08LC | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH® Power Clip Ha |
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| NTTFD021N08C | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH® Power Clip Ha |
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| NTTFD022N10C | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH® Power Clip H |
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| NTTFD1D8N02P1E | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 25V Dual N-Channel Power Clip |
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| NTTFD2D8N03P1E | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH® Power Clip |
|
| NTTFD4D0N04HLTWG | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 40V POWERTRENCH® Power Clip Ha |
|
| NTTFD4D1N03P1E | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3 |
|
| NTTFD9D0N06HLTWG | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET, Power, 60V POWERTRENCH® Power Clip Ha |
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| NTTFS002N04CLTAG | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，40 V，2.2mOhm，142A，单 N 沟道 |
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| NTTFS002N04CTAG | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，40 V，2.4 mΩ，136 A，单 N 沟道 |
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