5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3 PDF预览

MMIX1F210N30P3

更新时间： 2024-11-25 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE PC光电二极管电源电路
页数 文件大小 规格书
7页 210K
描述
SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系统。 由于外形小巧且采用小尺寸封装，因此可为多个器件采用同一个散热器，从而节省PCB空间。 除了更小、更轻

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMIX1F210N30P3 数据手册

 浏览型号MMIX1F210N30P3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMIX1F210N30P3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMIX1F210N30P3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMIX1F210N30P3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMIX1F210N30P3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMIX1F210N30P3的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary Technical Information  
Polar3TM HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 300V  
ID25 = 108A  
RDS(on) 16m  
MMIX1F210N30P3  
(Electrically Isolated Tab)  
trr  
250ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
D
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
300  
300  
V
V
Isolated Tab  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
108  
550  
A
A
S
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
105  
4
A
J
G
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
35  
V/ns  
W
520  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Silicon Chip on Direct-Copper-Bond  
Substrate  
- High Power Dissipation  
- Isolated Mounting Surface  
- 2500V~ Electrical Isolation  
Dynamic dv/dt Rating  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on)  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500 V~  
FC  
50..200 / 11..45  
N/lb  
g
Weight  
8
Low Drain-to-Tab Capacitance  
Low Package Inductance  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Easy to Mount  
Space Savings  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
300  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Applications  
5.0  
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Uninterrupted Power Supplies  
AC Motor Drives  
High Speed Power Switching  
200 nA  
IDSS  
50 A  
1.5 mA  
Note 2, TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 105A, Note 1  
16 m  
Applications  
DS100488A(12/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与MMIX1F210N30P3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMIX1F230N20T LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1F40N110P LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1F420N10T LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1F44N100Q3 IXYS

获取价格

 		1000V Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFET In SM
MMIX1F44N100Q3 LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1F520N075T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 75V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
MMIX1F520N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		SMPD封装重仅8g，相比传统的电源模块更轻（通常要轻50%），因此可打造重量更轻的电源系
MMIX1G120N120A3V1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1G120N120A3V1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
MMIX1G320N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

与MMIX1F210N30P3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证