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IXGP30N60C3

更新时间： 2024-11-20 11:14:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 269K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGP30N60C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.59
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：220 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：160 ns
标称接通时间 (ton)：45 ns

IXGP30N60C3 数据手册

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GenX3TM 600V IGBT  
IXGA30N60C3  
IXGP30N60C3  
IXGH30N60C3  
VCES = 600V  
IC110 = 30A  
VCE(sat) ≤ 3.0V  
tfi(typ) = 47ns  
High Speed PT IGBTs for  
40-100kHz switching  
TO-263(IXGA)  
G
Symbol Test Conditions  
Maximum Ratings  
E
C(TAB)  
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
TO-220(IXGP)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
60  
30  
A
A
A
G
TC = 110°C  
C
E
TC = 25°C, 1ms  
150  
SSOA  
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω  
ICM = 60  
A
TO-247(IXGH)  
(RBSOA)  
Clamped inductive load @ ≤ 600V  
PC  
TC = 25°C  
220  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
G
C(TAB)  
C
-55 ... +150  
E
TL  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TSOLD  
TAB = Collector  
Md  
Mounting torque (TO-220 & TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
TO-220  
TO-263  
TO-263  
2.5  
3.0  
3.0  
g
g
g
ꢀOptimized for low switching losses  
ꢀSquareRBSOA  
ꢀInternational standard packages  
Advantages  
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
600  
3.5  
Typ.  
Max.  
ꢀHigh power density  
ꢀLow gate drive requirement  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
V
V
5.5  
Applications  
VCE = VCES  
VGE = 0V  
15 μA  
300 μA  
ꢀHigh Frequency Power Inverters  
ꢀUPS  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
ꢀMotorDrives  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
ꢀSMPS  
VCE(sat)  
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1  
2.6  
1.8  
3.0  
V
V
ꢀPFCCircuits  
ꢀBatteryChargers  
ꢀWeldingMachines  
ꢀLampBallasts  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
DS100012A(11/08)  
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与IXGP30N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGP30N60C3C1 IXYS

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