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IXGP36N60A3

更新时间： 2024-11-18 20:24:31

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	285K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXGP36N60A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXGP36N60A3 数据手册

GenX3^TM600V

IGBTs

IXGA36N60A3

IXGP36N60A3

IXGH36N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 36A

V_CE(sat) 1.4V

TO-263 AA (IXGA)

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz Switching

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (Tab)

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

TO-247 (IXGH)

T_C= 25°C, 1ms

200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

220



T_J

-55 ... +150

150

°C

C (Tab)



T_JM

T_stg

G = Gate

= Collector

Tab = Collector

-55 ... +150

E = Emitter

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^Optimized for Low Conduction Losses

^International Standard Packages

Advantages

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

600

3.0

5.5

^Power Inverters

^UPS

I_CES

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

25 A

250 A

^Motor Drives

^SMPS

T_J= 125°C

^PFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^Inrush Current Protection Circuits

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

1.4

DS100006A(7/13)

12 3 4 5 6 7

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