Datasheet > IXGP50N60C4

IXGP50N60C4

更新时间： 2024-01-12 17:30:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	224K
描述
High-Gain IGBTs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP50N60C4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	90 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	306 ns	标称接通时间 (ton)：	75 ns
Base Number Matches：	1

IXGP50N60C4 数据手册

V_CES= 600V

I_C110= 36A

V_CE(sat)≤ 2.50V

High-Gain IGBTs

IXGA50N60C4

IXGP50N60C4

IXGH50N60C4

TO-263 AA (IXGA)

High-Speed PT Trench IGBT

C (Tab)

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

TO-247 (IXGH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

220

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 72

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

290

C (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Emitter

= Collector

Tab = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

Features

^zOptimized for Low Switching Losses

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

International Standard Packages

^zSquare RBSOA

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.5

Applications

25 μA

±100 nA

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.95

1.65

2.50

DS100298B(04/11)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGP50N60C4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP7N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP7N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGP7N60C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGP7N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
IXGP8N100	IXYS	获取价格	IXGA8N100
IXGP8N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGQ100N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N50Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 500V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N60Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ150N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 150A I(C)

与IXGP50N60C4相关文章

LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
2024-06-21

1
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
2024-06-21

1
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
2024-06-21

1
解读MAX232数据手册：全面剖析与应用推荐
2024-06-20

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP50N60C4

IXGP50N60C4 技术参数

IXGP50N60C4 数据手册

与IXGP50N60C4相关器件

与IXGP50N60C4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP50N60C4

IXGP50N60C4 技术参数

IXGP50N60C4 数据手册

与IXGP50N60C4相关器件

与IXGP50N60C4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？