5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGP7N60B
IXGP7N60B PDF预览

IXGP7N60B

更新时间： 2024-02-15 15:39:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
HiPerFAST IGBT

阅读下载

获取价格

IXGP7N60B 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：FAST
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：14 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263AAJESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：54 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：35晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：205 ns
标称接通时间 (ton)：25 nsBase Number Matches：1

IXGP7N60B 数据手册

 浏览型号IXGP7N60B的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFASTTM IGBT  
IXGA 7N60B  
IXGP 7N60B  
V
= 600 V  
= 14 A  
CES  
I
C25  
V
=
2 V  
t CE(sat)  
= 150 ns  
fi  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB(IXGP)  
VCES  
VCGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
J
J
GE  
G
C
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-263AA(IXGA)  
IC25  
IC90  
ICM  
T
= 25°C  
14  
7
A
A
A
C
T
= 90°C  
C
T
= 25°C, 1 ms  
30  
C
G
E
C (TAB)  
SSOA  
V
= 15 V, T = 125°C, R = 22 Ω  
I = 14  
CM  
A
GE  
VJ  
G
(RBSOA)  
Clamped inductive load, L = 300 µH  
@ 0.8 V  
CES  
PC  
T
= 25°C  
54  
W
C
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Maximumleadtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Features  
• International standard packages  
JEDEC TO-263 surface  
mountable and JEDEC TO-220 AB  
Md  
Mounting torque, (TO-220)  
Μ3  
0.45/4  
Nm/lb.in.  
Μ3.5 0.55/5  
• Medium frequency IGBT  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
2
g
g
• High current handling capability  
TM  
TM  
• HiPerFAST HDMOS process  
• MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
J
min. typ. max.  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, V = 0 V  
600  
2.5  
V
V
C
GE  
I
= 250 µA, V = V  
5.5  
C
CE  
GE  
ICES  
V
V
= 0.8 V  
= 0 V  
T = 25°C  
T = 125°C  
100 µA  
500 µA  
CE  
CES  
J
Advantages  
GE  
J
• High power density  
IGES  
V
= 0 V, V = 20 V  
100 nA  
• Suitable for surface mounting  
• Very low switching losses for high  
frequency applications  
CE  
GE  
VCE(sat)  
I
= I , V = 15 V  
1.8  
2.0  
V
C
C90  
GE  
© 2002 IXYS All rights reserved  
98563A (06/02)  
12

下载PDF

与IXGP7N60B相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXGP7N60BD1 IXYS HiPerFAST IGBT with Diode

获取价格
IXGP7N60C IXYS HiPerFAST IGBT Lightspeed Series

获取价格
IXGP7N60CD1 IXYS HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series

获取价格
IXGP8N100 IXYS IXGA8N100

获取价格
IXGP8N100 LITTELFUSE IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对

获取价格
IXGQ100N100Y3 ETC TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)

获取价格

与IXGP7N60B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证