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IXGP8N100

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	622K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGP8N100 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXGP8N100 数据手册

IXGA 8N100

IXGP 8N100

V_CES

I_C25

= 1000 V

16 A

IGBT

V_CE(sat)= 2.7 V

Preliminary data sheet

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1000

TO-220AB(IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263AA(IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 120 Ω

I_CM= 16

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

•International standard packages

•L^JEow^DEV^C_CE^T_(sa^O_t)^{-220AB and TO-263AA}

- for minimum on-state conduction

losses

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

•MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

1000

2.5

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

5.0

• C^poa^wpa^ec^rit^so^ur^pd^pi^ls^iec^sharge

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_CE90, V_GE= 15V

100

2.7

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

2.2

DS98565C(12/03)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGQ100N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N50Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 500V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N60Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ150N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ150N100Y4	IXYS	获取价格	Transistor
IXGQ150N33TC	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3
IXGQ150N33TCD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3
IXGQ150N60Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ170N30PB	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
IXGQ200N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 200A I(C)

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