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IXGP7N60C

更新时间： 2024-11-18 03:14:35

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
HiPerFAST IGBT Lightspeed Series

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IXGP7N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	14 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	35	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	205 ns
标称接通时间 (ton)：	25 ns	Base Number Matches：	1

IXGP7N60C 数据手册

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

t_fi

= 600 V

= 14 A

= 2.7 V

= 45 ns

HiPerFAST^TMIGBT

Lightspeed^TMSeries

IXGA 7N60C

IXGP 7N60C

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-263AA(IXGA)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 14

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

Features

• International standard packages

JEDEC TO-263 surface

mountable and JEDEC TO-220 AB

• High frequency IGBT

• High current handling capability

• HiPerFAST^TMHDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque, (TO-220)

M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

500 µA

Advantages

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

±100 nA

• Suitable for surface mounting

• Very low switching losses for high

frequency applications

V_CE(sat)

2.0

2.7

98564A (06/02)

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IXGP7N60C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXYP8N90C3	IXYS	功能相似	900V XPTTM IGBT

与IXGP7N60C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP7N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
IXGP8N100	IXYS	获取价格	IXGA8N100
IXGP8N100	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGQ100N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N50Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 500V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ100N60Y4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 100A I(C)
IXGQ150N100Y3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 150A I(C)
IXGQ150N100Y4	IXYS	获取价格	Transistor
IXGQ150N33TC	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3
IXGQ150N33TCD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3

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