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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 3.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGQ50N60C4D1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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| IXGQ50N60Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| IXGQ50N90Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| IXGQ75N100Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| IXGQ75N50Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| IXGQ75N60Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| IXGQ75N90Y4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| IXGQ85N33PCD1 | IXYS |
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Advance Technical Information PolarTM High Speed IGBT with Anti-Parallel Diode |
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| IXGQ90N27PB | IXYS |
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Preliminary Technical Information PolarTM IGBT for PDP Applications |
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| IXGQ90N33TB | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN |
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