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IXGQ85N33PCD1

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	150K
描述
Advance Technical Information PolarTM High Speed IGBT with Anti-Parallel Diode

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IXGQ85N33PCD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	85 A
集电极-发射极最大电压：	330 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	218 ns	标称接通时间 (ton)：	115 ns
Base Number Matches：	1

IXGQ85N33PCD1 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHigh Speed

V_CES

I_CP

= 330 V

= 340 A

IXGQ85N33PCD1

IGBT

V_CE(sat)≤ 2.1 V

with Anti-Parallel Diode

for PDP Sustain Circuit

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P

V_CES

V_GEM

T_J= 25°C to 150°C

330

±30

I_C25

I_CP

T_C= 25°C, IGBT chip capability

T_J≤ 150°C, tp ≤ 1 μs, D ≤ 1%

T_J≤ 150°C, tp < 10 μs

(TAB)

C = Collector

TAb = Collector

340

G = Gate

E = Emitter

I_DP

I_C(RMS)

Lead current limit

Features

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 150°C, R_G= 20 Ω

I_CM= 96

• International standard package

• Fast tfi for minimum turn off

switching losses

(RBSOA) Clamped inductive load, V_CE< 300 V

P_C

T_C= 25°C

150

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• Positive dVsat/dt for

paralleling

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body

300

260

°C

M_d

Mounting torque

1.3/10 Nm/lb.in.

5.5

≤

Weight

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

3.0

6.0

V_CE= 330 V

V_GE= 0 V

1 μA

T_J= 125°C

200 μA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

V_GE= 15V,

Note 1

I_C= 50 A

1.43 2.1

T_J= 125°C

I_C= 100 A

T_J= 125°C

1.47

1.85 3.0

2.0

DS99610D(02/07)

12 3 4 5

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