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IXGQ90N33TBD1

更新时间： 2024-01-12 07:54:12

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	123K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ90N33TBD1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	90 A
集电极-发射极最大电压：	330 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	382 ns
标称接通时间 (ton)：	39 ns	Base Number Matches：	1

IXGQ90N33TBD1 数据手册

Trench Gate

IGBT

V_CES

I_CP

V_CE(sat)≤ 1.6V

= 330V

= 360A

IXGQ90N33TBD1

For PDP Applications

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P

T_J= 25°C to 150°C

330

V_GEM

I_C25

I_CP

±30

T_C= 25°C, IGBT chip capability

T_J≤ 150°C, tp ≤ 1μs

Lead current limit

360

(TAB)

I_DP

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

I_C(RMS)

P_C

T_C= 25°C

200

°C

T_J

-55 ... +150

150

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

300

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

Mounting torque

•International standard package

•Low V_CE(sat)

T_SOLD

M_d

260

- for minimum on-state conduction

losses

1.13/10 Nm/lb.in.

5.5 g

Weight

TO-3P

•Fast switching

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

330

3.0

Typ.

Max.

• PDP Screen Drivers

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA , V_GE= 0V

I_C= 250μA , V_CE= V_GE

5.0

V_CE= 330V

V_GE= 0V

μA

T_J= 125°C

200

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±200

V_CE(sat)

V_GE= 15V, I_C= 45A

1.33

1.31

1.61

1.71

1.60

T_J= 125°C

I_C= 90A

DS99987(05/08)

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