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IXGR32N170H1

更新时间： 2024-02-11 12:24:32

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IXGR32N170H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	38 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	500 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	920 ns
标称接通时间 (ton)：	90 ns	Base Number Matches：	1

IXGR32N170H1 数据手册

Advance Technical Information

IXGR 32N170AH1

V_CES

I_C25

= 1700 V

26 A

High Voltage

IGBT with Diode

Electrically Isolated Tab

V_CE(sat)= 5.2 V

t_fi(typ)

50 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS247(IXGR)

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1700

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

ISOLATED TAB

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

G = Gate,

E=Emitter

C = Collector,

I_F90

I_CM

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

= 70

(RBSOA)

C^Gla^Emped inductive load

@ 0^C.8^MV_CES

Features

t_SC

T_J= 125°C, V_CE= 1200 V; V_GE= 15 V, R_G= 10Ω

µs

Electrically Isolated tab

High current handling capability

MOS Gate turn-on

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- drive simplicity

Rugged NPT structure

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

F_C

Mounting force with clamp

50/60 Hz, 1 minute

22...130/5...30

2500

N/lb

Applications

V_ISOL

Capacitor discharge & pulser circuits

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Weight

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

= 1mA, V_GE= 0 V

1700

3.0

I^C_C= 250 µA, V_CE= V_GE

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

500

µA

Note 1 T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100

5.2

V_CE(sat)

4.2

4.8

T_J= 125°C

DS99233(11/04)

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