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IXGR24N60CD1

更新时间： 2024-02-14 21:31:05

品牌	Logo	应用领域
IXYS		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR24N60CD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	42 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	240 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

IXGR24N60CD1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

withDiode

IXGR 24N60CD1 V_CES= 600 V

I_C25= 42 A

ISOPLUS247^TM

V_CE(sat)= 2.5 V

(Electrically Isolated Back Surface)

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS 247

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

Isolated back surface*

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

G = Gate,

E=Emitter

C = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 Ω

Clamped inductive load, L = 100 µH

I_CM= 48

@ 0.8 V_CES

* Patent pending

P_C

T_C= 25°C

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

^!Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

2500

^!Low drain to tab capacitance(<35pF)

^!Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^!Rugged polysilicon gate cell structure

^!Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

Symbol

TO-247

^!Fast intrinsic rectifier

^!Low gate charge process

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 750 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_GE= V_GE

600

2.5

power supplies

DC choppers

^!AC motor control

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.5

Easy assembly

Space savings

V_CE(sat)

I_C= I_T, V_GE= 15 V

2.1

High power density

98667 (11/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGR48N60B3D1	IXYS	类似代替	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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