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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 257 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGR12N60C | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN |
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| IXGR16N170AH1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with Diode Electrically Isolated Tab |
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| IXGR16N170AH1 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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| IXGR24N120C3D1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, TO-247 |
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| IXGR24N120C3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGR24N60B | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN |
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| IXGR24N60C | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface) |
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| IXGR24N60CD1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN |
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| IXGR32N170AH1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with Diode |
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| IXGR32N170AH1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
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