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IXGQ90N33TB

更新时间： 2024-11-05 21:14:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ90N33TB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：TO-3P, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：90 A
集电极-发射极最大电压：330 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：382 ns
标称接通时间 (ton)：39 nsBase Number Matches：1

IXGQ90N33TB 数据手册

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Trench Gate High  
Speed IGBT  
VCES  
ICP  
= 330V  
= 360A  
IXGQ90N33TB  
VCE(sat) ≤ 1.6V  
For PDP Applications  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P  
TJ = 25°C to 150°C  
330  
V
VGEM  
IC25  
ICP  
±30  
V
A
TC = 25°C, IGBT chip capability  
TJ ≤ 150°C, tp ≤ 1μs  
TJ ≤ 150°C, tp ≤ 1μs  
Lead current limit  
90  
360  
G
C
E
A
(TAB)  
IDP  
60  
A
G = Gate  
E = Emitter  
C = Collector  
TAB = Collector  
IC(RMS)  
PC  
75  
A
TC = 25°C  
200  
W
°C  
°C  
°C  
°C  
°C  
TJ  
-55 ... +150  
150  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
300  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
Mounting torque  
•International standard package  
•Low VCE(sat)  
TSOLD  
Md  
260  
- for minimum on-state conduction  
losses  
1.13/10 Nm/lb.in.  
5.5 g  
Weight  
TO-3P  
•Fast switching  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min.  
330  
3.0  
Typ.  
Max.  
• PDP Screen Drivers  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA , VGE = 0V  
IC = 250μA , VCE = VGE  
V
V
5.0  
VCE = 330V  
VGE= 0V  
1
μA  
μA  
TJ = 125°C  
200  
IGES  
VCE= 0V, VGE = ±20V  
±200  
nA  
VCE(sat)  
VGE = 15V, IC = 45A  
1.33  
1.31  
1.61  
1.71  
1.60  
V
V
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
IC = 90A  
V
V
© 2008 IXYS CORPORATION All rights reserved  
DS99844A(05/08)  
12345

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