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IXGQ50N60C4D1

更新时间： 2024-11-18 21:16:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	197K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ50N60C4D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	TO-3P, 3 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	90 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	306 ns
标称接通时间 (ton)：	75 ns	Base Number Matches：	1

IXGQ50N60C4D1 数据手册

V_CES= 600V

I_C110= 46A

V_CE(sat)≤ 2.3V

High-Gain IGBTs

w/ Diode

IXGQ50N60C4D1

IXGH50N60C4D1

High-Speed PT Trench IGBTs

TO-3P (IXGQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-247 (IXGH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

Tab

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

220

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 72

G = Gate

Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

E = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Features

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Optimized for Low Switching Losses

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Square RBSOA

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

6.0

Advantages

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zLamp Ballasts

6.5

50 μA

2.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.9

1.6

2.3

DS100297D(10/11)

12 3 4 5 6 7

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