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IXGR32N60C

更新时间： 2024-01-12 01:46:24

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
4页	544K
描述
HiPerFASTTM IGBT Lightspeed Series ISOPLUS247TM package(Electrically Isolated Back Side)

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IXGR32N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	45 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	160 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	215 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
Base Number Matches：	1

IXGR32N60C 数据手册

IXGR 32N60C

V_CE

I_C25

= 600 V

= 45 A

HiPerFAST^TMIGBT

Lightspeed Series

V_CE(sat)= 2.7 V

t_{fi typ}

ISOPLUS247^TMpackage

= 55 ns

(Electrically Isolated Back Side)

Preliminary data sheet

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS 247^TM

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

Isolated Backside*

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

G = Gate,

E = Emitter

C = Collector,

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R = 10 Ω

I_CM= 64

C^Gla^Emped inductive load, L^G= 100 µH

T_C= 25°C

@ 0.8 V_CES

*Patent pending

(RBSOA)

P_C

140

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

DCB Isolated mounting tab

Meets TO-247AD package Outline

High current handling capability

Latest generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute leads-to-tab

2500

Weight

- drive simplicity

Applications

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

DC choppers

V_CE= V

T = 25°C

T_J^J= 150°C

200

µA

V_GE= 0^CV^ES

Advantages

I_GES

V_CE= 600 V, V_GE= 20 V

100

2.7

Easy assembly

High power density

Very fast switching speeds for high

frequency applications

V_CE(sat)

I_C= I_T, V_GE= 15 V (see note 1)

2.3

DS98651C(06/04)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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