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IXGQ90N33TCD4

更新时间： 2024-11-18 21:18:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXGQ90N33TCD4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：TO-3P
包装说明：PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：90 A
集电极-发射极最大电压：330 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：124 ns标称接通时间 (ton)：41 ns
Base Number Matches：1

IXGQ90N33TCD4 数据手册

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Preliminary Technical Information  
VCES  
ICP  
= 330V  
= 360A  
Plasma Display  
Power IGBT  
IXGQ90N33TCD4  
VCE(sat) ≤ 1.80V  
Trench Gate High Speed  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXGQ)  
TJ = 25°C to 150°C  
330  
V
V
VGEM  
±30  
IC25  
ICP  
TC = 25°C, IGBT chip capability  
TJ ≤ 150°C, tp ≤ 1μs  
TJ ≤ 150°C, tp ≤ 1μs  
Lead current limit  
90  
360  
45  
A
A
A
A
G
C
E
(TAB)  
IDP  
IC(RMS)  
75  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
Pd  
TC = 25°C  
200  
W
TAB = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
TL  
-55 ... +150  
300  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
Features  
TSOLD  
260  
•International standard package  
•Low VCE(sat)  
Md  
Mounting torque  
1.13/10  
5.5  
Nm/lb.in.  
g
- for minimum on-state conduction  
losses  
Weight  
•Fast switching  
Applications  
• PDP Screen Drivers  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA , VGE = 0V  
IC = 250μA , VCE = VGE  
330  
3.0  
V
V
5.0  
ICES  
VCE = 330V  
VGE = 0V  
1 μA  
200 μA  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±200 nA  
VCE(sat)  
VGE = 15V, IC = 20A, Note 1  
IC = 45A  
1.40  
1.80  
V
V
V
1.54  
1.54  
1.82  
1.95  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
IC = 90A  
V
V
© 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
DS99842A(8/07)  
12345

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