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IXGR40N60B

更新时间： 2024-02-26 21:55:19

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力特 - LITTELFUSE		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR40N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	55 ns
Base Number Matches：	1

IXGR40N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

= 600 V

= 70 A

= 2.1 V

IXGR 40N60B

IXGR 40N60BD1

CES

ISOPLUS247^TM

C25

t ^CE(sat)= 180 ns

(Electrically Isolated Backside)

fi(typ)

(D1)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS 247

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

Isolated Backside*

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

150

G = Gate,

E=Emitter

C = Collector

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 80

@ 0.8 V_CES

Clamped inductive load, L = 100 µH

* Patent pending

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-40 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-40 ... +150

DCB Isolated mounting tab

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Meets TO-247AD package Outline

High current handling capability

Latest generation HDMOS^TMprocess

Weight

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Low collector-to-drain capacitance

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

(<35pF)

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 750 µA

40N60B

40N60BD1

600

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

I_C= 500 µA

40N60B

40N60BD1 2.5

2.5

5.0

AC motor speed control

V_CE= 0.8 V_CEST_J= 25°C

V_GE= 0 V; note 1 T_J= 25°C

T_J= 125°C

40N60B

40N60BD1

40N60B

200 µA

650 µA

DC servo and robot drives

DC choppers

T_J= 125°C

40N60BD1

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_T, V_GE= 15 V

±100 nA

2.1

^lEasy assembly

High power density

V_CE(sat)

1.6

98800A (02/02)

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与IXGR40N60B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGR40N60B2	IXYS	获取价格	C2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR40N60B2D1	IXYS	获取价格	C2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR40N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR40N60C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR40N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2-Class High Speed IGBTs
IXGR40N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2-Class High Speed IGBTs
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IXGR48N60B3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR48N60B3D1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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