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IXGR35N120C

更新时间： 2024-02-09 04:57:42

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
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描述
HiPerFAST IGBT ISOPLUS247

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IXGR35N120C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	480 ns	标称接通时间 (ton)：	86 ns
Base Number Matches：	1

IXGR35N120C 数据手册

V_CES

I_C25V_CE(sat)t_fi(typ)

HiPerFAST^TMIGBT

ISOPLUS247^TM

IXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 ns

1200 V 70 A 4.0 V 115 ns

IXGR 35N120C

(Electrically Isolated Backside)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS 247

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Backside*

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

G = Gate,

E=Emitter

C = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

140

* Patent pending

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 90

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

DCB Isolated mounting tab

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Meets TO-247AD package Outline

High current handling capability

Weight

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

1200

2.5

AC motor speed control

DC servo and robot drives

I_C= 750 µA, V_CE= V_GE

5.0

250

DC choppers

I_CES

V_CE= V_CES

µA

V_GE= 0 V; note 1

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

^lEasy assembly

High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

35N120B

35N120C

3.3

4.0

T_J= 125°C

2.7

3.4

98818 (04/01)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGR39N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 66A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR39N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 66A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR40N60B	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
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