Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGR40N60C2

IXGR40N60C2

更新时间： 2024-11-05 12:02:23

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	183K
描述
HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2-Class High Speed IGBTs

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IXGR40N60C2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOPLUS
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	56 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	210 ns	标称接通时间 (ton)：	38 ns
Base Number Matches：	1

IXGR40N60C2 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

ISOPLUS247^TM

IXGR 40N60C2

IXGR 40N60C2D1

V_CES= 600 V

I_C25= 56 A

V_CE(SAT)= 2.7 V

t_fi(typ= 32 ns

C2-Class High Speed IGBTs

(Electrically Isolated Back Surface)

PreliminaryDataSheet

ISOPLUS 247^TM

(IXGR)

IXGR_C2

IXGR_C2D1

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

ISOLATED TAB

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

I_C25

I_C110

I_D110

I_CM

T_C= 25°C

Features

T_C= 110°C

DCB Isolated mounting tab

Meets TO-247AD package Outline

High current handling capability

Latest generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

T_C= 110°C (40N60C2D1)

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600 V

I_CM= 80

- drive simplicity

P_C

T_C= 25°C

170

T_J

-55 ... +150

150

°C

Applications

T_JM

T_stg

Uninterruptible power supplies (UPS)

-55 ... +150

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1 minute, I_ISOL< 1 mA

2500

N/lb.

F_C

Mounting force

20..120/4.5..25

Advantages

Weight

Easy assembly

High power density

Very fast switching speeds for high

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

min. typ. max.

frequency applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0 V

I_C= 250 μA, V_CE= V_GE

600

3.0

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

40N60C2

40N60C2/D1

100

μA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= 30 A, V_GE= 15 V

100

2.7

V_CE(sat)

T_J= 25°C

T_J= 125°C

2.2

2.0

DS99052C(10/05)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGR40N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2-Class High Speed IGBTs
IXGR40N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR45N120	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXGR48N60B3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR48N60B3D1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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IXGR50N160H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24
IXGR50N60A2U1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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