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IXGR40N60C

更新时间： 2024-01-04 18:04:41

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	263K
描述
HiPerFAST IGBT ISOPLUS247

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IXGR40N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	150 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	255 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IXGR40N60C 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES= 600 V

I_C25= 75 A

V_CE(sat)= 2.5 V

t_fi(typ)= 75 ns

IXGR 40N60C

IXGR 40N60CD1

ISOPLUS247^TM

(Electrically Isolated Backside)

(D1)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

ISOPLUS 247

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Backside*

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

150

G = Gate,

E=Emitter

C = Collector

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 80

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

* Patent pending

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^lDCB Isolated mounting tab

-55 ... +150

^lMeets TO-247AD package Outline

^lHigh current handling capability

^lLatest generation HDMOS^TMprocess

^lMOS Gate turn-on

- drive simplicity

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

^lUninterruptible power supplies (UPS)

^lSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

^lAC motor speed control

^lDC servo and robot drives

^lDC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 750 mA

40N60C

40N60CD1

600

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

I_C= 500 mA

40N60C

40N60CD1 2.5

2.5

5.0

V_CE= 0.8 • V_CEST_J= 25°C

V_GE= 0 V; note 1 T_J= 25°C

T_J= 125°C

40N60C

40N60CD1

40N60C

200 mA

650 mA

Advantages

T_J= 125°C

40N60CD1

^lEasy assembly

^lHigh power density

^lVery fast switching speeds for high

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_T, V_GE= 15 V

±100 nA

2.5

V_CE(sat)

frequency applications

98803 (01/01)

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