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IXGR40N60BD1 PDF预览

IXGR40N60BD1

更新时间： 2024-11-05 21:06:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXGR40N60BD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOPLUS
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：570 ns标称接通时间 (ton)：55 ns
Base Number Matches：1

IXGR40N60BD1 数据手册

 浏览型号IXGR40N60BD1的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFASTTM IGBT  
V
= 600 V  
= 70 A  
= 2.1 V  
IXGR 40N60B  
IXGR 40N60BD1  
CES  
I
ISOPLUS247TM  
C25  
V
t CE(sat) = 180 ns  
(Electrically Isolated Backside)  
fi(typ)  
(D1)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS 247  
E153432  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
70  
35  
A
A
A
E
Isolated Backside*  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
150  
G = Gate,  
E=Emitter  
C = Collector  
SSOA  
(RBSOA)  
V
GE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
ICM = 80  
@ 0.8 VCES  
A
Clamped inductive load, L = 100 µH  
* Patent pending  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
TJ  
-40 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-40 ... +150  
l
DCB Isolated mounting tab  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
l
Meets TO-247AD package Outline  
l
High current handling capability  
Latest generation HDMOSTM process  
Weight  
5
g
l
l
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
l
Low collector-to-drain capacitance  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ. Max.  
(<35pF)  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VGE = 0 V  
IC = 750 µA  
40N60B  
40N60BD1  
600  
600  
V
l
Uninterruptible power supplies (UPS)  
l
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
IC = 500 µA  
40N60B  
40N60BD1 2.5  
2.5  
5.0  
5.0  
V
V
l
AC motor speed control  
l
VCE = 0.8 VCES TJ = 25°C  
VGE = 0 V; note 1 TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
40N60B  
40N60BD1  
40N60B  
200 µA  
650 µA  
DC servo and robot drives  
l
DC choppers  
1
3
mA  
mA  
TJ = 125°C  
40N60BD1  
Advantages  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
IC = IT, VGE = 15 V  
±100 nA  
2.1  
l Easy assembly  
l
High power density  
VCE(sat)  
1.6  
V
98800A (02/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12

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IXGR40N60BD1 替代型号

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