5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGR72N60B3H1
IXGR72N60B3H1 PDF预览

IXGR72N60B3H1

更新时间： 2024-01-13 12:00:02
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 249K
描述
GenX3 600VIGBT W/ Diode Electrically Isolated Tab

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGR72N60B3H1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Base Number Matches：1

IXGR72N60B3H1 数据手册

 浏览型号IXGR72N60B3H1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGR72N60B3H1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGR72N60B3H1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGR72N60B3H1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGR72N60B3H1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXGR72N60B3H1的Datasheet PDF文件第7页 
TM  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 40A  
£ 1.80V  
= 92ns  
GenX3 600V IGBT  
IXGR72N60B3H1  
w/ Diode  
(Electrically Isolated Tab)  
Medium Speed Low Vsat PT IGBT  
for 5-40 kHz Switching  
ISOPLUS247TM  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
G
VCGR  
TJ = 25C to 150C, RGE = 1M  
C
E
Isolated Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G = Gate  
C
= Collector  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25C (Limited by Leads)  
TC = 110C  
TC = 110C  
75  
40  
A
A
A
A
E = Emitter  
34  
TC = 25C, 1ms  
450  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125C, RG = 3  
ICM = 240  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE VCES  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
Optimized for Low Conduction and  
Switching Losses  
2500V~ Electrical Isolation  
Square RBSOA  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
PC  
TC = 25C  
200  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
VISOL  
FC  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Force  
2500  
V~  
20..120/4.5..27  
N/lb  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
TSOLD  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
5
g
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
VCE = VCES, VGE = 0V  
300 A  
mA  
TJ = 125C  
5
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
IC = 120A  
1.50  
1.75  
1.80  
V
V
DS99875B(7/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

IXGR72N60B3H1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXGR60N60B2D1 IXYS

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS 247, 3 PIN
IXGR50N60B2D1 IXYS

功能相似

 B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR40N60B2D1 IXYS

功能相似

 C2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)

与IXGR72N60B3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGR72N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGR72N60C3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
IXGR72N60C3D1 IXYS

获取价格

 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR72N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT10N170 IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT
IXGT10N170 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
IXGT10N170A IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT
IXGT15N120B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGT15N120B2D1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGT15N120B2D1 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

与IXGR72N60B3H1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证