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IXGR72N60C3

更新时间： 2024-01-19 19:19:58

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IXYS		栅
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6页	214K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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IXGR72N60C3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Base Number Matches：	1

IXGR72N60C3 数据手册

Preliminary Technical Information

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 35A

£ 2.7V

= 55ns

GenX3 600V IGBT

IXGR72N60C3

(Electrically Isolated Tab)

High-Speed Low-Vsat PT IGBT

40-100 kHz Switching

ISOPLUS 247^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_CGR

T_J= 25C to 150C, R_GE= 1M

Isolated Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25C

T_C= 110C

T_C= 25C, 1ms

400

I_A

T_C= 25C

Features

E_AS

500

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 150

^Optimized for Low Switching Losses

^Square RBSOA

(RBSOA)

V_CE V_CES

P_C

T_C= 25C

200

^Isolated Mounting Surface

^Avalanche Rated

^2500V Electrical Isolation

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

^High Power Density

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

^Low Gate Drive Requirement

F_C

20..120/4.5..27

N/lb

Weight

Applications

^High Frequency Power Inverters

^UPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

BV_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

600

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_CE= V_GE

3.0

5.5

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

300 A

100 nA

T_J= 125C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V

2.10

1.65

2.70

DS100607(04/14)

12 3 4 5 6

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