Datasheet > IXGT20N100

IXGT20N100

更新时间： 2024-11-06 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT20N100 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXGT20N100 数据手册

IXGH 20N100 V_CES

IXGT 20N100 I_C25

= 1000 V

40 A

IGBT

V_CE(sat)= 3.0 V

t_fi(typ)

= 280 ns

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

TO-247 AD (IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 47 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1000

2.5

• Capacitordischarge

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.2

3.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98620B(7/00)

1 - 2

12 3

中文翻译

下载PDF

与IXGT20N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT20N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGT20N120B	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT20N120B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT20N120BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXGT20N140C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGT20N140C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT20N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT20N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT22N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT24N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT

与IXGT20N100相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT20N100

IXGT20N100 技术参数

IXGT20N100 数据手册

与IXGT20N100相关器件

与IXGT20N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT20N100

IXGT20N100 技术参数

IXGT20N100 数据手册

与IXGT20N100相关器件

与IXGT20N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？