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IXGT20N60B

更新时间： 2024-11-29 23:15:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	117K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGT20N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	150 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	360 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
Base Number Matches：	1

IXGT20N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

= 600 V

= 40 A

IXGH 20N60B

IXGT 20N60B

V_CE(sat)typ= 1.7 V

t_fi(typ)

= 100 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268 (D3) (IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

600

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-247 AD (IXGH)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

MaximumLeadandTabtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface

M_d

Mountingtorque, TO-247AD

1.13/10 Nm/lb.in.

mountable and JEDEC TO-247 AD

• Highcurrenthandlingcapability

• Latest generation HDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-247

TO-268

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

Advantages

• Space savings (two devices in one

package)

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Switching speed for high frequency

applications

• Easy to mount with 1 screw,TO-247

(isolatedmountingscrewhole)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.0

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

96533B(7/99)

1 - 4

12 3 4

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