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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | D3PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 51 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 220 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 470 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 65 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGT2N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, |
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| IXGT30N120B3D1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBT |
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| IXGT30N120B3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGT30N60B | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-268 |
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| IXGT30N60B2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60BD1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT with Diode |
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| IXGT30N60BU1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGT30N60C2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGT30N60C2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
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