Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT35N120B

IXGT35N120B

更新时间： 2024-02-05 21:37:28

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGT35N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	660 ns	标称接通时间 (ton)：	86 ns
Base Number Matches：	1

IXGT35N120B 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 35N120B V_CES= 1200 V

IXGT 35N120B I_C2

V_CE(sat)

70 A

3.3 V

t_fi(typ)= 160 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXGH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 W

I_CM= 90

C (TAB)

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Low switching losses, low V_(sat)

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 750 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

3.3

T_J= 125°C

2.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98665(11/99)

1 - 2

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