Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT31N60D1

IXGT31N60D1

更新时间： 2024-02-08 05:45:54

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅
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2页	57K
描述
Ultra-Low V IGBT with Diode

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IXGT31N60D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	15 ns
Base Number Matches：	1

IXGT31N60D1 数据手册

Ultra-Low V_CE(sat)

IGBT with Diode

IXGH 31N60D1 V_CES

IXGT 31N60D1 I_C25

= 600 V

= 60 A

V_CE(sat)= 1.7 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

(IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 62

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

• IGBT and anti-parallel FRED in one

package

• Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

M_d

Mountingtorque(M3)TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

TO-247

TO-268

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

• Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

1.7

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98559A(7/00)

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