Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGT31N60D1

IXGT31N60D1

更新时间： 2024-11-05 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Ultra-Low V IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT31N60D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	15 ns
Base Number Matches：	1

IXGT31N60D1 数据手册

Ultra-Low V_CE(sat)

IGBT with Diode

IXGH 31N60D1 V_CES

IXGT 31N60D1 I_C25

= 600 V

= 60 A

V_CE(sat)= 1.7 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

(IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 62

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

• IGBT and anti-parallel FRED in one

package

• Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

M_d

Mountingtorque(M3)TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

TO-247

TO-268

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

• Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

1.7

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98559A(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXGT31N60D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGT32N100A3	IXYS	获取价格	GenX3 1000V IGBT
IXGT32N100A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGT32N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V
IXGT32N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGT32N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT32N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT32N170A	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGT32N170A	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGT32N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGT32N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTwith Diode

与IXGT31N60D1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT31N60D1

IXGT31N60D1 技术参数

IXGT31N60D1 数据手册

与IXGT31N60D1相关器件

与IXGT31N60D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT31N60D1

IXGT31N60D1 技术参数

IXGT31N60D1 数据手册

与IXGT31N60D1相关器件

与IXGT31N60D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？