5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGT40N60C2
IXGT40N60C2 PDF预览

IXGT40N60C2

更新时间： 2024-01-19 11:41:53
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGT40N60C2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：210 ns
标称接通时间 (ton)：38 nsBase Number Matches：1

IXGT40N60C2 数据手册

 浏览型号IXGT40N60C2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGT40N60C2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGT40N60C2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGT40N60C2的Datasheet PDF文件第5页 
HiPerFASTTM IGBT  
C2-Class High Speed IGBTs  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 75 A  
IXGH 40N60C2  
IXGT 40N60C2  
VCE(sat) = 2.7 V  
tfityp  
= 32 ns  
TO-268 (IXGT)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
E
C (TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-247 (IXGH)  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (limited by leads)  
TC = 110°C  
75  
40  
A
A
A
TC = 25°C, 1 ms  
200  
TAB)  
G
C
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load @ ≤ 600 V  
TC = 25°C  
ICM = 80  
A
E
300  
W
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body  
300  
200  
°C  
°C  
z
Very high frequency IGBT  
Square RBSOA  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
z
z
z
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10Nm/lb.in.  
- drive simplicity  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Applications  
z
PFC circuits  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Switched-mode and resonant-mode  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z
power supplies  
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
z
z
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 μA, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
z
VCE = VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
50  
1
μA  
mA  
Advantages  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 30 A, VGE = 15 V  
100  
2.7  
nA  
z
High power density  
Very fast switching speeds for high  
VCE(sat)  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
2.2  
2.0  
V
V
z
frequency applications  
© 2005 IXYS All rights reserved  
DS99042C(10/05)  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXGT40N60C2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGT40N60C2D1 IXYS

获取价格

 		HiPerFASTTM IGBTs w/ Diode
IXGT45N120 IXYS

获取价格

 		IGBT
IXGT4N250C LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXGT4N250C IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXGT50N60B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGT50N60B2 IXYS

获取价格

 		HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGT50N60C2 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGT50N90B2 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGT50N90B2 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT60N60 IXYS

获取价格

 		Ultra-Low VCE(sat) IGBT

与IXGT40N60C2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证