5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGT32N170
IXGT32N170 PDF预览

IXGT32N170

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
5页 578K
描述
High Voltage IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGT32N170 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-268JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：920 ns标称接通时间 (ton)：90 ns
Base Number Matches：1

IXGT32N170 数据手册

 浏览型号IXGT32N170的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGT32N170的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGT32N170的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGT32N170的Datasheet PDF文件第5页 
IXGH 32N170 VCES  
IXGT 32N170 IC25  
= 1700 V  
75 A  
High Voltage  
IGBT  
=
VCE(sat) = 3.3 V  
tfi(typ)  
= 250 ns  
Preliminary Data Sheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-268(IXGT)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1700  
1700  
V
V
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
E
C (TAB)  
TAB)  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
75  
32  
200  
A
A
A
TO-247AD(IXGH)  
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 5 Ω  
I
= 90  
A
(RBSOA)  
CGlaE mped inductive load  
@ 0C.8M VCES  
350  
G
C
E
PC  
TC = 25°C  
W
G = Gate,  
E=Emitter,  
Features  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
International standard packages  
JEDEC TO-268 and  
Maximum Lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
JEDEC TO-247 AD  
z
z
Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s  
260  
°C  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10Nm/lb.in.  
- drive simplicity  
z
z
Rugged NPT structure  
Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
Weight  
TO-247 AD  
TO-268  
6
4
g
g
Applications  
z
Capacitor discharge & pulser circuits  
z
AC motor speed control  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z
DC servo and robot drives  
z
DC choppers  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, VGE = 0 V  
1700  
3.0  
V
z
ICC = 250 µA, VCE = VGE  
5.0  
V
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
50  
1
µA  
Advantages  
mA  
z
High power density  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = IC90, VGE = 15 V  
100  
3.3  
nA  
z
Suitable for surface mounting  
z
VCE(sat)  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
2.5  
3.0  
V
V
Easy to mount with 1 screw,  
(isolated mounting screw hole)  
DS98941B(11/03)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXGT32N170相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGT32N170A IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT
IXGT32N170A LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用:?
IXGT32N60B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGT32N60BD1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBTwith Diode
IXGT32N60C IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGT32N60CD1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT32N90B2 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGT32N90B2 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT32N90B2D1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGT35N120B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT

与IXGT32N170相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证