是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-268AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 75 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | JEDEC-95代码: | TO-268AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 230 ns |
标称接通时间 (ton): | 43 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGT50N90B2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs | |
IXGT50N90B2 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT60N60 | IXYS |
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Ultra-Low VCE(sat) IGBT | |
IXGT60N60B2 | IXYS |
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Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching | |
IXGT60N60C2 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs | |
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBTs with Diode | |
IXGT60N60C3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGT64N60A3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGT64N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGT64N60B3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT |