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IXGT40N60B

更新时间： 2024-01-05 17:46:40

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
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2页	292K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGT40N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IXGT40N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 40N60B

IXGT 40N60B

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

V_CE(sat)= 2.1 V

t_fi

= 180 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

TO-268 (D3)

(IXGT)

T_C= 25°C, 1 ms

150

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 80

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

International standard packages

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

JEDEC TO-268 surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

High current handling capability

Latest generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 AD

TO-247 SMD

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

BV_CEStemperature coefficient

600

2.5

%/K

Switched-mode and resonant-mode

0.072

power supplies

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

V_GE(th)temperature coefficient

-0.286

%/K

Advantages

Space savings (two devices in one

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

200

package)

High power density

Suitable for surface mounting

Switching speed for high frequency

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

applications

Easy to mount with 1 screw,TO-247

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

1.6

2.1

(isolated mounting screw hole)

98799 (01/01)

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