5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXGT32N170A
IXGT32N170A PDF预览

IXGT32N170A

更新时间： 2024-11-06 14:56:59
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 639K
描述
功能与特色: 应用:?

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXGT32N170A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.39外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：32 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-268
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：370 ns
标称接通时间 (ton)：107 ns

IXGT32N170A 数据手册

 浏览型号IXGT32N170A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXGT32N170A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXGT32N170A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXGT32N170A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXGT32N170A的Datasheet PDF文件第6页 
IXGH 32N170A  
IXGT 32N170A  
VCES  
IC25  
= 1700 V  
32 A  
High Voltage  
IGBT  
=
VCE(sat) = 5.0 V  
tfi(typ)  
=
50 ns  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-268(IXGT)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1700  
1700  
V
V
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
E
C (TAB)  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
32  
21  
110  
A
A
A
TO-247AD(IXGH)  
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω  
I
= 70  
A
CGlaE mped inductive load  
@ 0C.8M VCES  
TAB)  
(RBSOA)  
G
C
E
tSC  
TJ = 125°C, VCE = 1200 V; VGE = 15 V, RG = 10Ω  
10  
µs  
G = Gate,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
E=Emitter,  
PC  
TC = 25°C  
350  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z
International standard packages  
JEDEC TO-268 and  
JEDEC TO-247 AD  
Md  
Mounting torque (M3)  
(TO-247)  
1.13/10Nm/lb.in.  
300 °C  
z
z
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
- drive simplicity  
z
z
Rugged NPT structure  
Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Applications  
z
Capacitor discharge & pulser circuits  
z
AC motor speed control  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
z
DC servo and robot drives  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
min. typ. max.  
DC choppers  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, VGE = 0 V  
1700  
3.0  
V
Switched-mode and resonant-mode  
ICC = 250 µA, V = VGE  
5.0  
V
CE  
power supplies  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
T = 25°C  
50  
2
µA  
Note 1 TJJ = 125°C  
mA  
Advantages  
z
High power density  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = IC90, VGE = 15 V  
100  
5.0  
nA  
z
Suitable for surface mounting  
z
VCE(sat)  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
4.0  
4.8  
V
V
Easy to mount with 1 screw,  
(isolated mounting screw hole)  
DS98942D(09/04)  
© 2004 IXYS All rights reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXGT32N170A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGT32N60B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGT32N60BD1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBTwith Diode
IXGT32N60C IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IXGT32N60CD1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT32N90B2 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGT32N90B2 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT32N90B2D1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGT35N120B IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT
IXGT35N120B LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGT35N120C IXYS

获取价格

 		IGBT Lightspeed Series

与IXGT32N170A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证