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IXGT40N120A2

更新时间： 2024-01-03 09:50:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	248K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGT40N120A2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Base Number Matches：	1

IXGT40N120A2 数据手册

IXGH 40N120A2

IXGT 40N120A2

IXGH 40N120A2

IXGT 40N120A2

V_CES= 1200 V

I_C25= 75 A

V_CE(sat)≤ 2.0 V

High Voltage IGBT

Low V_CE(sat)

Preliminary Data Sheet

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_CES

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C, IGBT chip capability

T_C= 110°C

(TAB)

T_J≤ 150°C, tp < 300 μs

160

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 150°C, R_G= 5 Ω

I_CM= 80

TO-268 (IXGT)

(RBSOA) Clamped inductive load, V_CE< 960 V

P_C

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

C (TAB)

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAb = Collector

T_L

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 seconds

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

T_SOLD

M_d

• International standard packages

• Low V_CE(sat)

Mounting torque (ixgh)

1.3/10 Nm/lb.in.

- for minimum on-state conduction

Weight

(IXGH)

(IXGT)

6.0

4.0

losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

1200

3.0

I_C= 250 μA, V_CE= V_GE

5.0 V

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

50 μA

T_J= 125°C

1mA

• Capacitor discharge

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I_C110, V_GE= 15V

± 100 nA

2.0 V

V_CE(sat)

DS99509 (12/05)

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