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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 64 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 690 ns | 标称接通时间 (ton)： | 42 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGT35N120B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGT35N120B | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGT35N120C | IXYS |
获取价格 |
IGBT Lightspeed Series |
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| IXGT39N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGT39N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGT40N120A2 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT Low V |
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| IXGT40N120A2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGT40N120B2D1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBTs w/Diode |
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| IXGT40N120B2D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGT40N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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