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IXGT32N90B2D1

更新时间： 2024-02-05 15:06:15

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	225K
描述
HiPerFAST IGBT with Fast Diode

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IXGT32N90B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.81
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	64 A
集电极-发射极最大电压：	900 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	690 ns	标称接通时间 (ton)：	42 ns

IXGT32N90B2D1 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

with Fast Diode

V_CES

I_C25

= 900 V

= 64 A

IXGH 32N90B2D1

IXGT 32N90B2D1

V_CE(sat)= 2.7 V

t_fityp

= 150 ns

B2-Class

High Speed IGBTs with

Ultrafast Diode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXGT)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

C (TAB)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 64

(RBSOA)

Clamped inductive load: V_CL< 600V

P_C

T_C= 25°C

300

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• High frequency IGBT

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Applications

• PFC circuits

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

300

1.5 mA

μA

T_J= 150°C

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ± 20 V

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

± 100

2.7

• High power density

• Very fast switching speeds for high

frequency applications

V_CE(sat)

2.2

2.1

DS99392(12/05)

12 3 4 5 6 7

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