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IXGT64N60A3

更新时间： 2024-11-20 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
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6页	193K
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GenX3 600V IGBT

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IXGT64N60A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	64 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	777 ns
标称接通时间 (ton)：	65 ns	Base Number Matches：	1

IXGT64N60A3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

IXGH64N60A3

IXGT64N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 64A

V_CE(sat)≤ 1.35V

Ultra-lowVsat PT IGBTs for up to

5 kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 100

TO-268 (IXGT)

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

460

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

C (TAB)

-55 ... +150

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

TAB = Collector

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

^zOptimized for low conduction losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

^zPower Inverters

^zUPS

3.0

5.0

^zMotor Drives

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

50 μA

^zSMPS

^zPFC Circuits

T_J= 125°C

500 μA

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

1.20

1.35

DS100003(06/08)

12 3 4 5 6

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