Datasheet > IXGT72N60B3

IXGT72N60B3

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	187K
描述
GenX3 B3-Class IGBTs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGT72N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	160 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	540 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	370 ns
标称接通时间 (ton)：	63 ns	Base Number Matches：	1

IXGT72N60B3 数据手册

GenX3^TMB3-Class

IGBTs

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 72A

≤£ 1.80V

= 90ns

IXGH72N60B3

IXGT72N60B3

Medium Speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz Switching

TO-247 AD (IXGH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

I_C25

Continuous

±20

±30

(TAB)

Transient

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

I_C110

I_CM

TO-268 (IXGT)

400

I_A

T_C= 25°C

E_AS

200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 240

(TAB)

(RBSOA)

@ V_CE≤ 600

P_C

T_C= 25°C

540

G = Gate

E = Emitter

= Collector

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

300

Nm/lb.in.

°C

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

^zSquare RBSOA

T_SOLD

Weight

260

°C

^zAvalanche Rated

^zInternational Standard Packages

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zLow Gate Drive Requirement

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

Applications

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

μA

T_J= 125°C

750 μA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.51

1.48

1.80

DS99847A(02/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGT72N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGV25N250S	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications
IXGV32N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS220SM
IXGX100N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGX120N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 A3-Class IGBTs
IXGX120N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGX120N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGX120N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX120N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 A3-Class IGBTS
IXGX120N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGX120N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT

与IXGT72N60B3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT72N60B3

IXGT72N60B3 技术参数

IXGT72N60B3 数据手册

与IXGT72N60B3相关器件

与IXGT72N60B3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGT72N60B3

IXGT72N60B3 技术参数

IXGT72N60B3 数据手册

与IXGT72N60B3相关器件

与IXGT72N60B3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？