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IXGX120N60B PDF预览

IXGX120N60B

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 229K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具

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IXGX120N60B 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

IXGX120N60B 数据手册

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HiPerFASTTM IGBTs  
VCES = 600V  
IC90 = 120A  
VCE(sat) ≤ 2.1V  
IXGK120N60B*  
IXGX120N60B  
*Obsolete Part Number  
TO-264 (IXGK)  
G
C
E
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
Continuous  
Maximum Ratings  
600  
600  
±20  
±30  
V
V
V
V
Tab  
VCGR  
VGES  
PLUS247 (IXGX)  
VGEM  
Transient  
IC25  
IC90  
ILRMS  
ICM  
TC = 25°C ( Chip Capability )  
TC = 90°C  
200  
120  
76  
A
A
A
A
Terminal Current Limit  
TC = 25°C, 1ms  
G
C
300  
Tab  
E
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15V, TVJ = 125°C, RG = 2.4Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
V
@ 0.8 • VCES  
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
660  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
z
Very High Current, Fast Switching IGBT  
Low VCE(sat)  
z
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10  
300  
260  
°C  
°C  
- for Minimum On-State Conduction  
Losses  
MOS Gate turn-on  
Md  
FC  
Mounting Torque ( IXGK )  
Mounting Force ( IXGX )  
1.13/10  
20..120/4.5..27  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
z
- Drive Simplicity  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
Advantages  
z
PLUS 247TM Package for Clip or Spring  
Mounting  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 1mA, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Applications  
z
5.5  
AC Motor Speed Drives  
DC Servo and Robot Drives  
DC Choppers  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
z
200 μA  
z
TJ = 125°C  
2 mA  
z
z
Switch-Mode and Resonant-Mode  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±400 nA  
Power Supplies  
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15V, Note 1  
2.1  
V
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS98602C(08/10)  
123456

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与IXGX120N60B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGX120N60B3 IXYS

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 		GenX3 600V IGBTs
IXGX120N60B3 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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IXGX12N90C IXYS

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IXGX320N60A3 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGX320N60A3 LITTELFUSE

获取价格

 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGX320N60B3 IXYS

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 		GenX3 600V IGBTs
IXGX320N60B3 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX32N170AH1 IXYS

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 		Advance Technical Information High Voltage IGBT with Diode

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