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IXGV32N170 PDF预览

IXGV32N170

更新时间： 2024-11-18 19:52:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 537K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN

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IXGV32N170 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.29外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：920 ns
标称接通时间 (ton)：90 nsBase Number Matches：1

IXGV32N170 数据手册

 浏览型号IXGV32N170的Datasheet PDF文件第2页 
IXGV 32N170  
VCES  
IC25  
= 1700 V  
75 A  
High Voltage  
IGBT  
=
VCE(sat) = 3.3 V  
tfi(typ)  
= 250 ns  
PreliminaryDataSheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
PLUS220SMD  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1700  
1700  
V
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
75  
32  
200  
A
A
A
C (TAB)  
G = Gate,  
C = Collector,  
E=Emitter,  
TAB = Collector  
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 5 Ω  
I
= 90  
A
(RBSOA)  
CGlaE mped inductive load  
@ 0C.8M VCES  
350  
Features  
PC  
TC = 25°C  
W
z High current handling capability  
z MOS Gate turn-on  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
- drive simplicity  
z Rugged NPT structure  
z Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
Maximum Lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
°C  
g
Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s  
260  
4
Applications  
Weight  
z Capacitor discharge & pulser circuits  
z AC motor speed control  
z DC servo and robot drives  
z DC choppers  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z Uninterruptible power supplies (UPS)  
z Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, VGE = 0 V  
1700  
3.0  
V
Advantages  
ICC = 250 µA, V = VGE  
5.0  
V
CE  
z High power density  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
50  
1
µA  
z Suitable for surface mounting  
mA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = IC90, VGE = 15 V  
100  
3.3  
nA  
VCE(sat)  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
2.5  
3.0  
V
V
DS99103(11/03)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
12

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