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IXGX400N30A3

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	325K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGX400N30A3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXGX400N30A3 数据手册

GenX3^TM300V IGBTs

V_CES= 300V

I_C25= 400A

V_CE(sat)≤ 1.15V

IXGK400N30A3

IXGX400N30A3*

*Obsolete Part Number

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 10kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

300

±20

±30

Tab

V_CGR

V_GES

PLUS247^TM(IXGX)

V_GEM

Transient

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

400

200

I_C110

I_LRMS

I_CM

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

160

1200

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 400

Tab

@ 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

1000

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_J

T_JM

-55 ... +150

150

°C

Tab = Collector

T_stg

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zHigh Avalanche Capability

^zInternational Standard Packages

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

300

^zPower Inverters

^zUPS

3.0

5.0

^zMotor Drives

50 μA

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

T_J= 125°C

2 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 400A

1.15

1.70

DS99584B(12/09)

12 3 4 5 6

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与IXGX400N30A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGX40N120BD1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXGX40N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXGX50N120C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs w/ Diode
IXGX50N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGX50N60A2D1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXGX50N60A2U1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3PIN
IXGX50N60AU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60AU1S	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode

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